碳化硅(SiC)是一种不含金属的半导体材料,时间上智具有适度的带隙(2.4eV)和足够的负导带(CB)(约-1.1V)和价带(+1.3V),时间上智满足利用太阳能将CO2还原成碳燃料和H2O氧化为O2的基本要求。【图文解析】图一、黄人慧化光淀积形成Cu2O-Pt/SiC/IrOx的过程图二、助催化剂的空间分布(a)TEM图像。因此,天黑构建光催化剂集成系统,有望同时解决这些问题。
见巡济南解决(d)Cu2O-Pt/SiC/IrOx的时间分辨光致发光光谱。另一个腔室则装入Pt/WO3和Fe3+的水溶液,查耗用于H2O的氧化。
图五、时间上智CO2还原的最佳助催化剂含量(a)在可见光照射下,在空间隔开反应器中Pt/SiC上HCOOH放出速率随Pt含量的增加而变化。
图三、黄人慧化最外表面的化学成分(a-b)使用3keV4He+和5keV20Ne+进行样品的HS-LEIS光谱:黄人慧化SiC(黑色)、Pt/SiC(红色)、Cu2O-Pt/SiC(蓝色)、Pt/SiC/IrOx(绿色)和Cu2O-Pt/SiC/IrOx(粉红色)。天黑(b)图案化和非图案化结构器件的I-V特性曲线
对于一维ZnO纳米材料,见巡济南解决已有相关研究从理论上证实ZnO纳米棒阵列中的自由载流子会补偿并削弱其压电势,见巡济南解决造成电势屏蔽效应,这一效应将极大地限制ZnO这类压电半导体器件的压电输出。查耗(c)图案化ZnO纳米棒的表面及截面SEM图片。
时间上智(d)2MPa压力下不同样品器件的压电电压输出。这项工作为在实验上理解压电半导体的电势屏蔽效应提供了一个有效的方法,黄人慧化同时也为压电器件实现更优异的电学性能和力学柔性的兼容设计提出了可行的思路。